中国のAI半導体、2035年に年4億個超も｜米研究機関が試算

米ワシントンを拠点とする研究機関CTS（Centre for Technology & Statecraft）は2026年9月下旬に公表した報告書で、中国資本の半導体工場が2026年初めまでに液浸DUV（深紫外線）露光装置を約343台取得したと推計しました。

DUVは最先端のEUVより一世代前の露光技術です。CTSは、工夫次第で7ナノメートル級のロジック半導体やAI向けメモリーの製造に転用できると指摘しています。

推計では、343台のうち約270台がオランダASMLの「NXT:1980i」でした。中国の工場は2024年に約90台、2025年に89台を取得し、この2年間の支出は130億ドルを超えたとしています。ASMLの開示でも、出荷先別のシステム売上高に占める中国の比率は2024年が41%、2025年が33%でした。

オランダ政府は2023年9月に「NXT:2000i」以上の機種を輸出許可制とし、1年後に対象をNXT:1980iへ広げました。ただし同機種は個別審査で承認される余地が残っています。CTSは成熟品向けに販売された装置が先端ラインに転用され得る点を抜け穴と位置づけ、液浸DUVを含む対中規制の拡大を求める超党派の「MATCH法案」（2026年4月提出）を取り上げています。

CTSは年約90台の輸入が続けば2035年にエヌビディアのH100相当で年最大4億3400万個、2027年に輸入が止まれば同1億5300万個が理論上の生産上限になると試算しました。既存の保有分があるため、規制強化の影響が表れるのは中長期になりそうです。