AI半導体の次は「電力」か？ルネサスが損失最大70%減の新製品

ルネサスエレクトロニクスは2026年10月6日、同社初となる100V耐圧のGaN（窒化ガリウム、シリコンより高速に電力を切り替えられる材料）パワートランジスタ4製品を発売しました。

AIデータセンター、ヒューマノイドロボット、工場自動化、産業用モーター、電動工具、太陽光マイクロインバーターなどを対象としています。GaN製品群を低電圧領域に広げる位置づけです。

ルネサスは新製品について、スイッチング損失を40〜70%低減しシステム全体で最大2倍の電力密度を実現できるとしています。シリコン製と比べた効率の改善幅は1〜3%としています。既存のシリコンMOSFETと互換性のある実装寸法を採用し、大幅な基板変更なしに置き換えられる点も特徴に挙げました。

背景にはAIサーバーの電源構成の変化があります。ルネサスは800Vの直流配電や48Vバスへの移行が進む中で、数MHzの高周波で動作するGaNの採用が始まっていると説明しています。モルガン・スタンレーは10月5日、米国のデータセンター建設で電力不足が生じる可能性を指摘し、建設が遅れれば電源管理やメモリーなど周辺半導体に在庫調整が及び得ると分析しました。

ルネサス株は10月5日に8.03%、6日に3.44%上昇し、6日の終値は3995円でした。ただし、上昇のすべてを今回の製品発表で説明できるわけではありません。

AI向け半導体の関心がGPUやメモリーから電力変換の領域へ広がるかどうかを占う材料になりそうです。