TSMCがメモリー参入？エヌビディア要請で「3D DRAM」製造検討か

台湾積体電路製造（TSMC）がエヌビディアの要請を受けて次世代メモリー「3D DRAM」（記憶素子を縦方向に積み重ねて容量を高めるDRAM）の製造計画を検討しているとの観測が浮上しました。米テック系メディアのThe Informationが2026年11月6日、関係者2人の話として記事にしたものです。背景には、AI需要の急拡大によるメモリー不足と価格上昇があります。TSMCとエヌビディアはいずれもコメントしていません。

計画は、先端パッケージング部門を統括する徐国晋（Hsu Kuo-chin）副総経理が主導しているとされます。新工場の建設に加え、既存工場を買収してDRAM向けに転換する案も検討対象とされています。生産開始時期や投資額は明らかになっていません。マイクロンはAI主導のメモリー不足が2028年まで続くとの見通しを示しています。

TSMCはこれまで、他社が設計した半導体を受託製造するロジック専業のファウンドリ（受託製造企業）として事業を築いてきました。先端DRAMの供給はサムスン電子、SKハイニックス、マイクロンの3社が大半を占めています。一方でTSMCは、SKハイニックスのHBM4（AI向け高帯域幅メモリー）にベースダイ（制御を担う土台チップ）を供給するなどメモリー周辺への関与を深めています。一部では同社が中核のロジック事業への注力を維持する姿勢を示したとの情報もありますが、正式な見解は確認されていません。

実際に参入すればメモリー市場の寡占構造や価格動向に影響を与える可能性があります。ただし計画は評価段階にとどまり、新工場の立ち上げには年単位の時間がかかるため、目先の品不足の解消にはつながりにくいと見られています。エヌビディアが調達先の多様化をどこまで進めるかも注目点です。TSMCが今後どのような説明を行うかが焦点になりそうです。